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Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs at and near the Pinch-off Region 1725 - Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.

(*)

Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.:
Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs at and near the Pinch-off Region 1725 - nouveau livre

2012, ISBN: 3847323458

Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off RegionEinbandPaperback / SoftbackAutor(en)Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.VerlagLAP Lambert Academic PublishingAuflageAufl.A… Plus…

Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off RegionEinbandPaperback / SoftbackAutor(en)Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.VerlagLAP Lambert Academic PublishingAuflageAufl.Ausgabe2012Formatangaben100 pagesSpracheengISBN3847323458ISBN-13 / EAN9783847323457SchlagworteMOSFET (MOS-Feldeffekt-Transistor)PreisEUR 49,00 (inkl. MwSt.)NEUWARE - Tagesaktueller, sicherer und weltweiter Versand. Rechnung legen wir bei.Semiconductor devices are generally analyzed with relatively simple equations or with detailed computer simulations. Most text-books use these simple equations and show device diagrams that are frequently very simplified and occasionally incorrect. For example, the carrier densities near the pinch-off point in MOSFETs and JFETs and the minority carrier density in the base near the reverse-biased base-collector junction are frequently assumed to be zero or near zero. Also the channel thickness at the pinch-off point is often shown to approach zero. None of these assumptions can be correct. The research in this book addresses these points. These simulation results in this book provide a more complete understanding of device physics and device operation in those regions usually not addressed in semiconductor device physics books.Hinweis: Auflage und/oder Erscheinungsjahr können im Buchkatalog von eBay unter Umständen von unseren Angeboten abweichen. Dies gilt insbesondere wenn eine ISBN durch den Verlag doppelt vergeben wurde. Im Einzelfall bzw. bei Bedarf bitte VOR Bestellung erfragen.Angaben zur Versandzeit stammen aus Standardeinstellung von ebay; Wir verschicken tagesaktuell; Sendungen unter 1 kg werden als Waren-/Büchersendung (Laufzeiten sind leider sehr unterschiedlich zwischen 2 und 14 Werktagen) verschickt, ab 1 Kg erfolgt der Versand über DPD.Falls Sie eine Bestellung dringend bzw. zu einem bestimmten Zeitpunkt benötigen, wählen Sie bitte immer die Versandart PAKETVERSAND (DPD Classic), ansonsten können wir die Lieferzeiten nicht garantieren.Artikel eingestellt mit dem w+h GmbH eBay-ServiceDaten- und Bilderhosting mit freundlicher Unterstützung von Buchfreund. (2022-05-20), Festpreisangebot, [LT: FixedPrice], EAN: 9783847323457, Publikationsname: Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs at and near the Pinch-off Re, Sprache: Englisch, Format: 100 pages, Produktart: Paperback / Softback, Anzahl der Seiten: 100 pages, Fach: Ingenieurwissenschaften & Technik, 2012<

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Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs - Xuan Yang|Dieter K. Schroder

(*)

Xuan Yang|Dieter K. Schroder:
Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs - Livres de poche

2012, ISBN: 3847323458

[EAN: 9783847323457], Neubuch, [PU: LAP LAMBERT Academic Publishing], TECHNIK ELEKTRONIK ELEKTROTECHNIK NACHRICHTENTECHNIK MOSFET BJT JFET PINCH-OFF (MOS-FELDEFFEKT-TRANSISTOR), Dieser Ar… Plus…

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Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off Region - Livres de poche

2012, ISBN: 9783847323457

LAP LAMBERT Academic Publishing, Paperback, 100 Seiten, Publiziert: 2012-01-04T00:00:01Z, Produktgruppe: Book, 0.16 kg, Electronics Engineering, Electronics & Communications Engineering, … Plus…

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Simulation of Mosfets Bjts and Jfets: at and Near the Pinch-Off Region - Xuan Yang, Dieter K. Schroder

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Xuan Yang, Dieter K. Schroder:
Simulation of Mosfets Bjts and Jfets: at and Near the Pinch-Off Region - Livres de poche

2012, ISBN: 9783847323457

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2012, ISBN: 3847323458

Kartoniert / Broschiert, mit Schutzumschlag 11, [PU:LAP LAMBERT Academic Publishing]

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2012, ISBN: 3847323458

Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off RegionEinbandPaperback / SoftbackAutor(en)Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.VerlagLAP Lambert Academic PublishingAuflageAufl.A… Plus…

Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off RegionEinbandPaperback / SoftbackAutor(en)Yang, Xuan; Schroder, Dieter K.VerlagLAP Lambert Academic PublishingAuflageAufl.Ausgabe2012Formatangaben100 pagesSpracheengISBN3847323458ISBN-13 / EAN9783847323457SchlagworteMOSFET (MOS-Feldeffekt-Transistor)PreisEUR 49,00 (inkl. MwSt.)NEUWARE - Tagesaktueller, sicherer und weltweiter Versand. Rechnung legen wir bei.Semiconductor devices are generally analyzed with relatively simple equations or with detailed computer simulations. Most text-books use these simple equations and show device diagrams that are frequently very simplified and occasionally incorrect. For example, the carrier densities near the pinch-off point in MOSFETs and JFETs and the minority carrier density in the base near the reverse-biased base-collector junction are frequently assumed to be zero or near zero. Also the channel thickness at the pinch-off point is often shown to approach zero. None of these assumptions can be correct. The research in this book addresses these points. These simulation results in this book provide a more complete understanding of device physics and device operation in those regions usually not addressed in semiconductor device physics books.Hinweis: Auflage und/oder Erscheinungsjahr können im Buchkatalog von eBay unter Umständen von unseren Angeboten abweichen. Dies gilt insbesondere wenn eine ISBN durch den Verlag doppelt vergeben wurde. Im Einzelfall bzw. bei Bedarf bitte VOR Bestellung erfragen.Angaben zur Versandzeit stammen aus Standardeinstellung von ebay; Wir verschicken tagesaktuell; Sendungen unter 1 kg werden als Waren-/Büchersendung (Laufzeiten sind leider sehr unterschiedlich zwischen 2 und 14 Werktagen) verschickt, ab 1 Kg erfolgt der Versand über DPD.Falls Sie eine Bestellung dringend bzw. zu einem bestimmten Zeitpunkt benötigen, wählen Sie bitte immer die Versandart PAKETVERSAND (DPD Classic), ansonsten können wir die Lieferzeiten nicht garantieren.Artikel eingestellt mit dem w+h GmbH eBay-ServiceDaten- und Bilderhosting mit freundlicher Unterstützung von Buchfreund. (2022-05-20), Festpreisangebot, [LT: FixedPrice], EAN: 9783847323457, Publikationsname: Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs at and near the Pinch-off Re, Sprache: Englisch, Format: 100 pages, Produktart: Paperback / Softback, Anzahl der Seiten: 100 pages, Fach: Ingenieurwissenschaften & Technik, 2012<

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Détails sur le livre

Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off Region

Auteur:	Yang, Xuan, Schroder, Dieter K.
Titre:	Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off Region
ISBN:	9783847323457

Informations détaillées sur le livre - Simulation of MOSFETs BJTs and JFETs: at and near the Pinch-off Region

EAN (ISBN-13): 9783847323457
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Version reliée
Livre de poche
Date de parution: 2012
Editeur: LAP LAMBERT Academic Publishing

Livre dans la base de données depuis 2007-06-25T14:07:33+02:00 (Paris)
Page de détail modifiée en dernier sur 2024-03-01T18:34:45+01:00 (Paris)
ISBN/EAN: 9783847323457

ISBN - Autres types d'écriture:
3-8473-2345-8, 978-3-8473-2345-7
Autres types d'écriture et termes associés:
Auteur du livre: yang, schroder, dieter schröder
Titre du livre: mosfet, mosfets, off

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