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Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics - Première édition

2012, ISBN: 9781849965613

Livres de poche

[ED: Kartoniert / Broschiert], [PU: Springer London], Dieser Artikel ist ein Print on Demand Artikel und wird nach Ihrer Bestellung fuer Sie gedruckt. Provides the reader with a complete … Plus…

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Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics - nouveau livre

2012, ISBN: 1849965617

2006 Kartoniert / Broschiert Laserphysik, Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein, Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien, Elektronik, Absorption; … Plus…

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Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics (Springer Series in Optical Sciences, Band 118) - Livres de poche

2012

ISBN: 9781849965613

Springer, Taschenbuch, Auflage: 2006, 772 Seiten, Publiziert: 2012-03-14T00:00:01Z, Produktgruppe: Buch, 2.34 kg, Elektrotechnik, Ingenieurwissenschaft & Technik, Naturwissenschaften & Te… Plus…

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Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics - Livres de poche

2012, ISBN: 9781849965613

Paperback, New., 752 p. Springer Series in Optical Sciences , 118. 34 Tables, black and white; 443 Illustrations, black and white; XVIII, 752 p. 443 illus. Intended for professional and s… Plus…

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Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics - Livres de poche

2012, ISBN: 9781849965613

Buch, Softcover, [PU: Springer London Ltd], Springer London Ltd, 2012

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Données bibliographiques du meilleur livre correspondant

Détails sur le livre
Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics
Auteur:
Titre:
ISBN:

1849965617


Optoelectronic devices operating in the mid-infrared wavelength range offer applications in a variety of areas from environmental gas monitoring around oil rigs to the detection of narcotics. They could also be used for free-space optical communications, thermal imaging applications and the development of "homeland security" measures. Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics is an overview of the current status and technological development in this rapidly emerging area; the basic physics, some of the problems facing the design engineer and a comparison of possible solutions are laid out; the different lasers used as sources for mid-infrared technology are considered; recent work in detectors is reviewed; the last part of the book is concerned with applications. With a world-wide authorship of experts working in many mid-infrared-related fields this book will be an invaluable reference for researchers and graduate students drawn from physics, electronic and electrical engineering and materials science.

Informations détaillées sur le livre - Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics


EAN (ISBN-13): 9781849965613
ISBN (ISBN-10): 1849965617
Version reliée
Livre de poche
Date de parution: 2010
Editeur: Springer London Ltd
751 Pages
Langue: eng/Englisch

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ISBN/EAN: 1849965617

ISBN - Autres types d'écriture:
1-84996-561-7, 978-1-84996-561-3
Autres types d'écriture et termes associés:
Auteur du livre: krier

Données de l'éditeur

Auteur: Anthony Krier
Titre: Springer Series in Optical Sciences; Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics
Editeur: Springer; Springer London
752 Pages
Date de parution: 2012-03-14
London; GB
Imprimé / Fabriqué en
Langue: Anglais
320,99 € (DE)
329,99 € (AT)
354,00 CHF (CH)
POD
XVIII, 752 p. 443 illus.

BC; Hardcover, Softcover / Physik, Astronomie/Elektrizität, Magnetismus, Optik; Laserphysik; Verstehen; Absorption; Condensed Matter; Diode Lasers; LED; Light-emitting Diode; Mid-infrared; Optoelectronics; Photodetectors; Photodiode; Transmission; Vakuuminjektionsverfahren; electrical engineering; quantum cascade laser; quantum dot; semiconductor; Laser; Electronics and Microelectronics, Instrumentation; Technology and Engineering; Optical Materials; Condensed Matter Physics; Elektronik; Ingenieurswesen, Maschinenbau allgemein; Technische Anwendung von elektronischen, magnetischen, optischen Materialien; Physik der kondensierten Materie (Flüssigkeits- und Festkörperphysik); BB

Materials and Device Design Considerations.- Theory of Mid-wavelength Infrared Laser Active Regions: Intrinsic Properties and Design Strategies.- Band Structure and High-pressure Measurements.- Lasers.- III-Sb-based Type-I QW Diode Lasers.- VCSELs Emitting in the 2–3 µm Wavelength Range.- Antimonide Type-II “W” Lasers.- Interface Lasers with Asymmetric Band Offset Confinement.- IV–VI Semiconductors for Mid-infrared Optoelectronic Devices.- Mid-infrared Vertical Cavity Surface Emitting Lasers based on the Lead Salt Compounds.- Optically Pumped MIR Lasers.- Mid-infrared Quantum Cascade Lasers.- LEDs and Detectors.- Mid-infrared Electroluminescence in LEDs Based on InAs and Related Alloys.- LED-Photodiode Opto-pairs.- QWIP Detectors for the MWIR.- Negative Luminescence.- Mid-infrared Quantum Dot Photodetectors.- Quantum Photovoltaic Devices Based on Antimony Compound Semiconductors.- High-speed Avalanche Photodiodes for the 2–5 µm Spectral Range.- Applications.- Infrared Methods for Gas Detection.- Mid-infrared Biomedical Applications.- Development of Infrared Countermeasure Technology and Systems.- Survey of Thermophotovoltaic (TPV) Devices.
Provides the reader with a complete survey of the properties of mid-infrared optoelectronic sources and sensors Advances the creation of practical devices for the detection of various pollutant gases as well as narcotics and for infrared communications equipment

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